Dr Zbigniew Świątek

a. Adres do korespondencji: Instytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej PAN, 30-059 Kraków, ul. Reymonta 25

b. Tel.: (012) 295 28 32, pokój 013

    fax: (012) 295 28 04

c. e-mail: Adres poczty elektronicznej jest chroniony przed robotami spamującymi. W przeglądarce musi być włączona obsługa JavaScript, żeby go zobaczyć.

Miejsca zatrudnienia i zajmowane stanowiska

dr Zbigniew Światek jest od roku 1996 jest zatrudniony w Instytucie Metalurgii i Inżynierii Materiałowej PAN w Krakowie, początkowo na stanowisku asysytenta a następnie adiunkta (od 2002).

Przebieg kariery naukowej

Magister                        Uniwersytet Jagielloński, Wydział Fizyki i Matematyki, 1990

Doktor                           Instytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej PAN w Krakowie, 2002

Dorobek naukowy

Łącznie opublikowanych prac 35 w recenzowanych czasopismach naukowych (28 pozycje ujęte przez Institute for Scientific Information w Filadelfii)

Najważniejsze publikacje w okresie ostatnich 5 lat

1. Z. Swiatek, E. Bełtowska, W. Maziarz, F. Krok, Characterization and properties of a modified Si solar cell emitter by a porous Si layer, Materials Science and Engineering B101 (2003) 291.

2. B.S. Sokolovskii, V.K. Pysarevskii, O.V. Nemolovskii, Z. Swiatek, Theoretical study of the photovoltaic effect in thin variable-gap semiconductor layer, Thin Solid Films 431-432 (2003) 457.

3. Z. Świątek, A.Bonchyk, I.M. Fodchuk, L. Litvinchuk, W. Baliga, M. Michalec, J. Guśpiel, Complex photoluminescence spectrum of Si nanostructures formed by the ion implantation and chemical etching., Archives of Metallurgy and Materials 2005, 50 (2), 445.

4. Bogdan Datsko, Vitaliy Meleshko, Ivan Mohylyak, Zbigniew Swiatek, Lidia Litynska-Dobrzynska, Pawel Zieba, Interface Dynamics of Melt Instabilities on Semiconductor Surface., Solid State Phenomena Vol. 129 (2007) 137.

5. Fodchuk, R. Zaplitnyy, T. Kazemirskiy, and Z. Swiatek, Structural changes in arsenic ion-implanted Hg_1–xCd_xTe epitaxial layers., Phys. Stat. Sol. (a) (2007) 204, No. 8, 2714.

6. A. Vlasov, O. Bonchyk, I. Fodchuk, R. Zaplitnyy, A. Barcz, Z. Swiatek, L. Litynska-Dobrzynska, P. Zieba, E. Bielanska, J. Guspiel, The controlled doping and structural homogeneity of CdHgTe epitaxial layers, Archives of Metallurgy and Materials, 52, 4 (2007), 1.

7. P.Ozga, Z.Swiatek, M.Michalec, B.Onderka, J.Bonarski, Phase Structure and Texture of Electrodeposited InSn Alloys on Copper Substrate, Archives of Metallurgy and Materials, 53 (2008) 307.

8. A.P. Vlasov, O.Yu. Bonchyk, S.G. Kiyak, I.M. Fodchuk, R.M. Zaplitnyy, T. Kazemirskiy, A. Barcz, P.S. Zieba, Z. Swiatek, W. Maziarz, Reconstruction of lattice structure of ion-implanted near-surface regions of Hg_1−XCd_XTe epitaxial layers, Thin Solid Films 516 (2008) 8106.

Doświadczenia naukowe zdobyte w kraju i za granicą

Laboratorium PHASE CNRS, Strasbourg, 1996-2001 (2 miesiące),

British Council School on Development of effective solar power generation, Southampton, 1997 (3 tygodnie).

Projekty badawcze

Projekty MNiSW

· Opracowanie podstaw technologii elektrolitycznego otrzymywania bezołowiowych stopów lutowniczych In-Sn (3T08A04527), IMIM PAN, wykonawca, 2004-2007

· Warstwy i powłoki ochronne zastępujące kadm na bazie stopów cynku z żelazowcami oraz manganem otrzymywane elektrolitycznie z kąpieli kompleksowych (PBZ-3/3/II-3.4), IMIM PAN, wykonawca, 2007-2010

· Opracowanie technologii pasywacji defektów krystalograficznych w krzemie polikrystalicznym i wytwarzania krzemowych nanocząstek w celu rozszerzenia czułości spektralnej fotoogniw poprzez zastosowanie warstw SiN_x:H (N507 444234), IMIM PAN, wykonawca, 2008-2010

Współpraca dwustronna z zagranicą

High-resolution X-ray diagnostics of structural defects. Yuri Fedkovych Chernivtsi National University, Department of Physics of Solid State, Chernivts, Ukraina 2007-2009

Główne zainteresowania naukowe

Rentgenowska diagnostyka strukturalna materiałow wielowarstwowych i defektów strukturalnych, powłoki ochronne i struktury metastabilne, procesy dyfuzji w półprzewodnikowych warstwach epitaksjalnych, fotowoltaika – detektory podczerwieni i krzemowe ogniwa fotowoltaiczne.